以下是常见 存储器（Memory / Storage）类型 的完整分类，按不同维度整理，包括 用途、速度、易失性、常见示例 等信息：
一、存储器类型总览表（按层次结构 + 特性）层次存储器类型全称 / 示例位置易失性速度容量用途描述0寄存器 (Register)CPU寄存器（AX, BX 等）CPU内部是极快（ns）极小暂存指令和数据，最顶层快速缓存1一级缓存 (L1 Cache)Level 1 CacheCPU内部是极快很小CPU访问最快的缓存2二级缓存 (L2 Cache)Level 2 CacheCPU内部或附近是非常快小CPU缓存数据，略慢于L13三级缓存 (L3 Cache)Level 3 CacheCPU内部或芯片组是快中多核共享缓存4主存 (RAM)DRAM、SDRAM、DDR主板上是快中\~大程序运行时数据和代码的临时存储5非易失性内存NVRAM、MRAM、FRAM、ReRAM主板或插槽否中等中等断电不丢数据的内存，用于高速缓存或特殊应用6虚拟内存Pagefile / Swap磁盘上否慢大当RAM不足时用磁盘空间临时代替RAM7固态存储 (SSD)NAND Flash、NVMe、SATA SSD存储设备否较快大操作系统和软件安装，数据存储8机械硬盘 (HDD)Hard Disk Drive存储设备否慢非常大长期存储文件、备份9光盘 / 磁带CD/DVD/Blu-ray、磁带外部存储设备否极慢大归档、长期备份10云存储 / 网络存储AWS S3、NAS、SAN网络远端否可变非常大异地备份、共享存储二、常见存储器技术类型分类（按材料 / 技术）类型全称 / 解释是否易失特点应用场景SRAMStatic RAM是快速、不需刷新、贵CPU缓存 (L1, L2)DRAMDynamic RAM是需周期刷新、便宜主内存SDRAMSynchronous DRAM是与CPU同步，性能提升DDR等升级版本DDRDouble Data Rate SDRAM是DDR2/3/4/5 提高传输速率主流电脑内存FlashFlash Memory否快速、非易失SSD、U盘、手机存储NAND Flash一种 Flash否高密度、低成本SSD主要使用NOR Flash一种 Flash否快速读取BIOS、嵌入式设备MRAMMagnetoresistive RAM否磁性存储、持久、高速嵌入式系统、AI加速芯片ReRAMResistive RAM否电阻变化存储，高性能研究中存算一体、新型存储FRAMFerroelectric RAM否低功耗、耐写医疗、传感器、卡片系统PCMPhase Change Memory否依靠相变材料，理论接近DRAM研究/高性能计算NVRAMNon-Volatile RAM否各类非易失性RAM总称高速缓存 / UPS场景三、AI芯片 / 计算架构适配性存储器类型AI 芯片中角色特点典型场景SRAMOn-chip cache (L1/L2)，寄存器等极高速，适合高频访问CPU/GPU/TPU内部缓存HBM高带宽内存与GPU/AI加速器堆叠封装，高吞吐低延迟NVIDIA A100/H100，TPUGDDRGPU外部显存较快，适合图形/AI并行计算显卡训练模型DDR (RAM)主内存大容量，延迟适中数据加载、中间特征存储Flash (SSD)AI模型加载、缓存检查点非易失，持久存储模型启动、参数预加载MRAM/ReRAM存内计算/存算一体（Compute-in-Memory）非易失，具备计算能力，新兴技术智能感知、AI加速硬件原型四、边缘 vs 云部署适配性存储器类型适用于边缘部署适用于云端部署说明与应用示例SRAM✅✅边缘MCU、边缘AI芯片、TPU 内部 cacheDDR RAM✅✅边缘设备主内存、云服务器主内存Flash (NAND)✅✅边缘设备数据缓冲、模型持久化、云端 SSD 存储MRAM/FRAM✅❌低功耗/断电保护关键场景（如传感器、工业设备）HDD❌✅云端冷数据、归档、日志存储NVMe SSD⚠️（功耗高）✅云训练集群、高IO吞吐需要云对象存储❌✅如 AWS S3、GCS，异地共享、冷/热分层存储光存储 / 磁带❌✅超长期备份，冷归档五、能耗 vs 性能（适用于系统级设计权衡）存储器类型访问速度能耗性能/功耗比（PPA）用途建议SRAM极快（ns级）高（静态泄漏）高性能，低容量用于高速 cache、FPGA/ASIC 寄存器DRAM (DDR)快（10\~100ns）中等高容量较低功耗系统主内存、边缘计算主存HBM/GDDR极快（高带宽）很高极高性能，但功耗也高云端训练GPU、AI推理芯片MRAM/ReRAM中快（\~10ns）低很高（非易失+高速）新一代AI加速器、IoT设备NAND Flash中慢（μs级）低\~中高（数据存储）推理模型存储、嵌入式存储HDD慢（ms级）很低（待机）极低性能，节能归档归档、低频访问数据Cloud Object慢（延迟大）不计入本地功耗极低远程备份、冷数据存储六、存储器技术趋势分类表（以存算一体为核心）类别存储器类型是否支持存算一体技术原理/机制成熟度潜在优势应用方向✅ 存算一体核心ReRAM✅ 是电阻变化记录数据，同时参与计算研发-初商用高速、低功耗、非易失神经网络推理、边缘AI设备✅ 存算一体核心MRAM✅ 是自旋极化磁性存储单元成熟非易失、高耐久、高速写入AI芯片、边缘计算、IoT✅ 存算一体潜力PCM（相变存储）⚠️ 部分支持利用材料相变存储与计算研发中非易失、可多态存储（多位一元）模拟计算、AI/Neuromorphic✅ 存算一体潜力FRAM⚠️ 潜在支持铁电晶体翻转极化状态记录数据商用快速、低功耗、非易失安全芯片、智能卡片✅ 存算一体平台Analog In-Memory✅ 是使用存储阵列（如Crossbar）进行矩阵运算研发-早期模拟计算效率高，适用于大规模乘加类脑计算、深度学习✅ 存算一体平台3D-stacked PIM✅ 是DRAM堆叠上计算逻辑，集成加速器初商用减少内存带宽瓶颈AI芯片、推理服务器七、非存算一体型（但技术上具备演化潜力）存储器类型当前是否支持存算一体技术机制是否非易失演化潜力应用场景SRAM❌ 否六晶体管构成高速存储单元否中等CPU缓存DRAM / HBM❌ 否（PIM支持中）电容充放电存储否高（PIM DRAM方向）主内存 / AI训练Flash (NAND)❌ 否隧穿效应记录电荷是低SSD、嵌入式存储总结建议（系统设计层）使用场景推荐存储结构AI训练服务器（云）HBM + DDR + NVMe SSD + 云对象存储边缘推理设备DDR + NAND Flash / MRAM嵌入式传感器 / 工控设备SRAM + FRAM/MRAM高性能 AI 推理芯片SRAM + MRAM/ReRAM（存算一体）数据湖 / 大模型冷存储HDD / 云存储（S3）+ 层级缓存 标签：无